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台湾 UBIQ 30V2.3A开关MOS管 QM3009K中文资料pdf

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The QM3009K is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge f or most of the small power switching and load switch applications.


    The QM3009K meet the RoHS and Green Product r equirement with full function reliability approved.

    QM3009K替换AO3409代替QM3009K替代AO3409_upi-semi_

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    对比


    TheAO3409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.


    QM3009K替换AO3409代替QM3009K替代AO3409

  • Feature

    特色

    Advanced high cell density Trench technology.

    先进的高密度槽技术。

    Super Low Gate Charge.

    超低的门电荷。

    Excellent CdV/dt effect decline.

    CdV/dt效应下降良好。

    Green Device Available.

    绿色设备可用。

    Application

    应用程序

    Load Switch.

    负载开关。

    General switching purpose.

    一般开关用途。

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    对比


    制造商零件编号:AO3409

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23

    系列:-

    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):30V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.6A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 2.6A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):370pF @ 15V

    功率 - 最大值:1.4W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    供应商器件封装:SOT-23-3




    QM3002K使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止,集电极不pmos的型号
    QM3401K吸收电流表示关;以晶体管饱和,发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开大功率pmos管
    QM3404K。开关电路用于数字电路时,输出电位接近0V时表示0,输出电位接近电源电压时表pmos管做开关电路图
    QM3403K示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态。 场效应管按沟道分可分为pmos管开关电路图
    QM3010KN沟道和P沟道管(在符号图中可看到中间的箭头方向不一样)。pmos管电源开关电路
    QM3001K按材料分可分为结型管和绝缘栅型管,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上pmos管驱动电路
    QM3009K大多是绝缘栅型管简称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道,其次是增强型的Ppmos  100v  10a
    QM2411K沟道,结型管和耗尽型管几乎不用。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写pmos  插件
    QM2416K(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型常用大功率pmos管
    QM2423K半导体器件.场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有贴片pmos管价格
    QM2404K多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极150v pmos
    QM2409K可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。5、MOS管导通过程pmos  电压选择
    QM2402K导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段,这四个时间段有不同的等效电路。p沟道mos管
    QM6008K1)t0-t1:C GS1 开始充电,栅极电压还没有到达V GS(th),导电沟道没有形成p沟道耗尽型mos管
    QM0032S,MOSFET仍处于关闭状态。两个p mos管并联
    QM3016S2)[t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs(th),DS间导电沟道开始形成,MOSFET开启p沟道mos管做开关管
    QM3014S,DS电流增加到ID, Cgs2 迅速充电,Vgs由Vgs(th)指数增长到Va。p沟道60a的mos管
    QM3005S3)[t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应,Cgd电容大大pmos应用电路图
    QM3017S增加,栅极电流持续流过,由于C gd 电容急剧增大,抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从mos增强型p沟道
    QM6015S而使得Vgs 近乎水平状态,Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。pmos 怎样选型
    QM4015S4)[t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响pmos管g17-6a   sod23
    QM3003S变小,Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至mos p沟道
    QM6003St4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小,MOSFET完全开启。p沟道 驱动
    QM4014S低开启电压MOS管应用-如何进行低功耗设计无二极管  pmos 8a 30v
    QM3001S对于一个电子产品,总功耗为该产品正常工作时的电压与电流的乘积,这就是低功耗并联  p沟道
    QM4004S设计的需要注意事项之一。p沟道  -12v -10a
    QM3202S为了降低产品的功耗,在电子产品开发时尽量采用低开启电压MOS管的产品。比如常用pmos管型号
    QM3201S一个产品,曾经用5v单片机正常工作,后来又了3.3v的单片机或者工作电压更低的,常用pmos
    QM3203S那么就是在第一层次中进行了低功耗设计,这也就是我们常说的研发前期低功耗器件100v  p mos 23-6
    QM3002V选择。这一般需要有广阔的芯片涉猎范围或者与供应商有良好的沟通。p沟道增强型mos场效应管的原理
    QM3001V其次是模块工作的选择控制,一般选择具有休眠功能的芯片。比如在设计一个系统中低vgs  1v pmos
    QM3805V,如果某些外部模块在工作中是不经常使用的,我们可以使其进入休眠模式或者在硬二极管连接的pmos
    QM2417Y1件电路设计中采用数字开关来控制器工作与否,当需要使用模块时将其唤醒,这样我不带二极管的pmos
    QM2520C1们可以在整个系统进入低功耗模式时,关闭一些不必要的器件,以起到省电的作用,三极管搭配pmos管
    QM6015B延长了待机时间。一般常用方法:①具有休眠模式的功能芯片②MOS管做电子开关x小电流p  mos
    QM4016D③具有使能端的LDO芯片。sot23   pmos   6a
    QM3015D再次,选择具有省电模式的主控芯片。现在的主控芯片一般都具有省电模式,通过以523  p沟道
    QM6013D往的经验可以知道,当主控芯片在省电模式条件下,其工作电流往往是正常工作电流pmos高端驱动
    QM6015D的几分之一,这样可以大大增强消费类产品电池的使用时间。同时,现在一些控制芯pmos防反接电路
    QM4013AD片具有双时钟的模式,通过软件的配置使芯片在不同的使用场合使用不同的外部始终pmos选型  vgs大
    QM6008D从而降低其功耗。这与始终分频器具有异曲同工之妙,不同之处想必就是BOM的价pmos调压
    QM4002AD格问题。现在火爆的APPLE WATCH就是低功耗的一个例子:全功能运行3-4小时,pmos结构图
    QM3002D持续运行18小时。pmos管驱动电路设计
    QM0018AD主控芯片或者相关模块唤醒的方式选择。通常进过以上的步骤设计好了硬件结构,在p沟道mos
    QM03N65D系统需要省电,在什么时候进入省电模式,这一般在软件设计中实现,但是最主要还p沟道mos管  smt
    QM6016S是需要根据产品的功能特性来决定了。当系统进入了省电模式,而系统的唤醒也需要pmos管符号
    QM6006D控制。一般系统的唤醒分为自动唤醒和外部唤醒。p沟道mos管导通条件
    QM4015DA、自动唤醒是使用芯片内部的定时器来计时睡眠时间,当睡眠时间达到预定时间时p沟道增强型场效应管
    QM0016D,自动进行唤醒。这与我们使用的看门狗或者中断有比较相近之处,不同就是其工作e/d pmos 结构图
    QM2532M7与否的时序。pmos管工作原理
    QN4101M6NB、 外部唤醒就是芯片一直处于一种休眠状态,当有一个外部事件(主要是通过接口)41n6003-mos
    QN0102M6N来对芯片进行一个触发,则芯片会唤醒,在事件处理之后消除该触发事件而在此进入4  nmos管芯片
    QN4103M6N休眠状态。因此,根据系统的特性,就需要进行软件设计时,来决定如何使用睡眠及3400  nmos
    QM6006M6唤醒,以降低系统的功耗。 3.3v  nmos fet
    QN3109AM6N
    12n1012  mos
    QM3017M6
    0.5v低导通电压nmos管
    QN0101M6N
    两个n沟道mos管串联
    QN3109M6N
    n沟道耗尽型mos管符号
    QM6006M3
    n沟道同步整流mos  8205a
    QM0016M3
    n沟道同步整流mos
    QN3102M3N
    n沟道mos管开关电路
    QM3017M3
    n沟道mos管工作原理
    QM3002M3
    stm32io直接驱动nmos
    QN3108M3N
    n沟道mos管
    QN3115M3N
    n沟道mosfet  驱动   容性 负载 电路
    QM3092M3
    n沟道  mos场效应管
    QM4020AP
    cmos管电路由n沟道的mos管组成
    QM8020AP
    AOS MOS管
    QM14N50F
    n沟道场效应管结构
    QM12N60F
    n沟道场效应管符号
    QM12N65F  
    n沟道mos  fet
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