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台湾 UBIQ 20V4.2A开关MOS管 QM2423K数据手册规格书

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The QM2423K is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge f or most of the small power switching and load switch applications.The QM2423K meet the RoHS and Green Product r equirement with full function reliability approved.

    QM2423K是性能最高的沟道P-ch mosfet,具有极高的单元密度,为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和栅电荷。QM2423K满足RoHS和绿色产品要求,全功能可靠性得到认可。

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    对比


    制造商零件编号:AO3415

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT23

    系列:-

    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动

    漏源极电压 (Vdss):20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):43 毫欧 @ 4A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17.2nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1450pF @ 10V

    功率 - 最大值:1.5W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    供应商器件封装:SOT-23-3


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  • Feature

    Advanced high cell density Trench technology.

    Super Low Gate Charge.

    Excellent CdV/dt effect decline.

    Green Device Available.

    Application

    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA

    Networking DC-DC Power System.

    Load Switch.

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    QM3002K 功率开关器件在电力电子设备中占领着中心位置,它的牢靠工作是整个安装正常运pmos的型号
    QM3401K转的根本条件。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口,是电力电大功率pmos管
    QM3404K子安装的重要局部。它对整个设备的性能有很大的影响,其作用是将控制回路输出的pmos管做开关电路图
    QM3403K控制脉冲放大到足以驱动功率开关器件。简而言之,驱动电路的根本任务就是将控制pmos管开关电路图
    QM3010K电路传来的信号,转换为加在器件控制端和公共端之间的能够使其导通和关断的信号pmos管电源开关电路
    QM3001K同样的mos管功率器件,采用不同的驱动电路将得到不同的开关特性。采用性能良好pmos管驱动电路
    QM3009K的驱动电路能够使功率开关器件工作在比拟理想的开关状态, 同时缩短开关时间,pmos  100v  10a
    QM2411K减小开关损耗,对安装的运转效率,牢靠性和平安性都有重要的意义。因而驱动电路pmos  插件
    QM2416K的优劣直接影响主电路的性能,驱动电路的合理化设计显得越来越重要。晶闸管体积常用大功率pmos管
    QM2423K小,重量轻,效率高,寿命长,运用便当,能够便当的停止整流和逆变,且能够在不贴片pmos管价格
    QM2404K改动电路构造的前提下,改动整流或逆变电流的大小。IGBT 是 mosFET 和 GTR的复150v pmos
    QM2409K合器件,它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特性,又具pmos  电压选择
    QM2402K有通态压降小、耐压高和接受电流大等优点。IGBT作为主流的功率输出器件, 特别p沟道mos管
    QM6008K是在大功率的场所,曾经被普遍的应用于各个范畴。p沟道耗尽型mos管
    QM0032S(1)功率开关管开通时,驱动电路可以提供快速上升的基极电流,使得开启时有足够两个p mos管并联
    QM3016S的驱动功率,从而减小开通损耗。p沟道mos管做开关管
    QM3014S(2)开关管导通期间,mos驱动电路提供的基极电流在任何负载状况下都能保证功率p沟道60a的mos管
    QM3005S管处于饱和导通状态,保证比拟低的导通损耗。为减小存储时间,器件关断前应处于pmos应用电路图
    QM3017S临界饱和状态。mos增强型p沟道
    QM6015S(3)关断时,驱动电路应提供足够的反向基极驱动,以疾速的抽出基区的剩余载流子pmos 怎样选型
    QM4015S,减小存储时间;  并加反偏截止电压,使集电极电流疾速降落以减小降落时间。pmos管g17-6a   sod23
    QM3003S当然,晶闸管的关断主要还是靠反向阳极压降来完成关断的。mos p沟道
    QM6003S目前来说,关于晶闸管的驱动用的比拟多的只是经过变压器或者光耦隔离来把低压端p沟道 驱动
    QM4014S与高压端隔开,再经过转换电路来驱动晶闸管的导通。而关于 IGBT来说目前用的较无二极管  pmos 8a 30v
    QM3001S多的是 IGBT 的驱动模块,也有集成了 IGBT、 系统自维护、 自诊断等各个功用模块的 IPM。并联  p沟道
    QM4004S本文针对我们所用到的晶闸管,设计实验驱动电路,并停止实考证明了它能够驱动晶p沟道  -12v -10a
    QM3202S闸管。而关于 IGBT的驱动,本文主要引见了目前主要的几种 IGBT 的驱动方式,以常用pmos管型号
    QM3201S及与它们相对应的驱动电路,并对最常用的光耦隔离的驱动方式停止了仿真实验。常用pmos
    QM3203S大功率mos管驱动芯片实验电路的设计与剖析100v  p mos 23-6
    QM3002V实验设计总电路图如下图所示首先是升压电路,由于后级的隔离变压器电路中的 p沟道增强型mos场效应管的原理
    QM3001VMOS 管器件需求 15V 的触发信号,所以,需求先把幅值 5V 的触发信号转成 15V 低vgs  1v pmos
    QM3805V的触发信号,经过 MC14504 把 5V 的信号, 转换成为 15V的信号,然后再经过 二极管连接的pmos
    QM2417Y1CD4050 对输出的 15V 驱动信号整形, 实验的波形图如图所示, 通道 2 接的是 5V不带二极管的pmos
    QM2520C1输入信号,通道 1 接的是输出的 15V 的触发信号。三极管搭配pmos管
    QM6015B第二局部是隔离变压器电路,实验电路图如图 4所示,该电路的主要功用是:把 15V x小电流p  mos
    QM4016D的触发信号,转换成为 12V 的触发信号去触发后面的晶闸管的导通,并且做到 15Vsot23   pmos   6a
    QM3015D的触发信号与后级之距离。523  p沟道
    QM6013D该电路的工作原理是:由于 MOS 管 IRF640 的驱动电压为 15V,所以,首先是在pmos高端驱动
    QM6015DJ1 处接入 15V 的方波信号,经过电阻 R4 接稳压管 1N4746,使触发电压稳定,也pmos防反接电路
    QM4013AD使得触发电压不至于过高,烧坏 MOS 管,然后接到 MOS 管 IRF640(其实这就是个pmos选型  vgs大
    QM6008D开关管,控制后端的开通和关断) , MOS 管的工作图如下图, 经过控制驱动信号的pmos调压
    QM4002AD占空比, 能够控制 MOS 管的开通和关断时间。当 MOS 管开通时,相当于它的 Dpmos结构图
    QM3002D极接地,关断时是断开的,经过后级电路相当于接 24V。而变压器就是经过电压的pmos管驱动电路设计
    QM0018AD变化来使右端输出 12V 的信号。变压器右端接一个整流桥,然后从接插件 X1 输出p沟道mos
    QM03N65D12V的信号。下图 6 为该实验电路的仿真波形图,为了便当看清,我把 B 通道的正p沟道mos管  smt
    QM6016S负引脚颠倒,测出图中的电压为负的,不过幅值是正确的。图 7 是该电路的实验波pmos管符号
    QM6006D形图,与仿真波形图一样。p沟道mos管导通条件
    QM4015D首先,开端上电时,保险丝忽然熔断,后来查电路时发现最初的电路设计有问题。最p沟道增强型场效应管
    QM0016D初为了它的开关管输出的效果更好,把24V的地和15V 的地隔开,这就使得MOS管e/d pmos 结构图
    QM2532M7的门极G极相当于后面的S极是悬空的,招致误触发。处理方法是把24V和15V的地接pmos管工作原理
    QN4101M6N在一同,再次停止实验,电路工作正常。电路衔接正常,但是当参加驱动信号时,41n6003-mos
    QN0102M6NMOS管发热,加驱动信号一段时间后,保险丝熔断,再加驱动信号时,保险丝直接4  nmos管芯片
    QN4103M6N熔断。检查电路发现,驱动信号的高电平占空比过大,招致MOS管的开通时间太长3400  nmos
    QM6006M6。这个电路的设计使得当MOS管开通时,24V直接加到MOS管的两端,并没有加限3.3v  nmos fet
    QN3109AM6N流电阻,假如导通时间过长就使得电流过大,MOS管损坏,需求调理信号 的占空12n1012  mos
    QM3017M6比不能太大,普通在 10%~20%左右。0.5v低导通电压nmos管
    QN0101M6N为了验证驱动电路的可行性,我们用它来驱动串连在一同的晶闸管电路,实验电路图两个n沟道mos管串联
    QN3109M6N如下图8所示,互相串联的晶闸管再反并联后,接入带有感抗的电路中,电源是n沟道耗尽型mos管符号
    QM6006M3380V 的交流电压源。n沟道同步整流mos  8205a
    QM0016M3在这个电路中,晶闸管Q2、Q8的触发信号经过G11和G12接入,而Q5、Q11的触发n沟道同步整流mos
    QN3102M3N信号经过G21、G22接入。在驱动信号接到晶闸管门级之前,为了进步晶闸管的抗干n沟道mos管开关电路
    QM3017M3扰才能,在晶闸管的门极衔接一个电阻和电容。这个电路接电感后,再投入到主电路n沟道mos管工作原理
    QM3002M3中。经过控制晶闸管的导通角,来控制大电感投入到主电路的时间, 上下电路的触stm32io直接驱动nmos
    QN3108M3N发信号的相角相差半个周期,上路的 G11 和G12是一路的触发信号,经过前级的驱n沟道mos管
    QN3115M3N动电路中的隔离变压器互相隔离,下路的 G21 和 G22同样也是隔离的同一路信号n沟道mosfet  驱动   容性 负载 电路
    QM3092M3实验波形图如图 9 所示,两路的触发信号触发反并联晶闸管电路正反导通,上面的 1n沟道  mos场效应管
    QM4020AP通道接的是整个晶闸管电路的电压,在晶闸管导通时它变为 0,而 2、3 通道接的是cmos管电路由n沟道的mos管组成
    QM8020AP晶闸管电路上下路的触发信号,4 通道测得是流过整个晶闸管的电流。AOS MOS管
    QM14N50F通道测得有正向的触发信号时,触发上面的晶闸管导通,电流为正;3 通道测得有反向n沟道场效应管结构
    QM12N60F的触发信号时,触发下路的晶闸管导通,电流为负。n沟道场效应管符号
    QM12N65F  大功率mos管驱动芯片结构如下在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导n沟道mos  fet
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