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台湾 UBIQ 30V7.5A开关MOS管 QM3003S数据手册规格书

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The QM3003M3 is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.

    驱动mos管QM3003S替换AO4435代替QM3003S替代AO4435_UBIQ-semi_

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    The QM3003M3 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.


    QM3003S替换AO4435代替QM3003S替代AO4435

  • Feature

    Advanced high cell density Trench technology.

    Super Low Gate Charge.

    Excellent CdV/dt effect decline.

    100% EAS Guaranteed

    Green Device Available.

    驱动mos管QM3003S替换AO4435代替QM3003S替代AO4435_UBIQ-semi_

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    Application

    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA

    Networking DC-DC Power System.

    Load Switch.

    器件的栅电极是具有一定电阻率的多晶硅材料,这也是硅栅MOS器件的命名根据。在多晶硅栅与衬底之间是一层很薄的优质二氧化硅,它是绝缘介质,用于绝缘两个导电层:多晶硅栅和硅衬底,从结构上看,多晶硅栅-二氧化硅介质-掺杂硅衬底(Poly-Si--SiO2--Si)形成了一个典型的平板电容器,通过对栅电极施加一定极性的电荷,就必然地在硅衬底上感应等量的异种电荷。这样的平板电容器的电荷作用方式正是MOS器件工作的基础。


品质第一

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Quality first
价格合理

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交货快捷

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