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台湾 UBIQ 30V3.9A开关MOS管 QM3001V数据手册规格书

  • 产品概况
  • 产品特点
  • The QM3001V is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge f or most of the small power switching and load switch applications.

    三极管驱动mos管QM3001V替换AO6405代替QM3001V替代AO6405_UBIQ-semi_

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    The QM3001V meet the RoHS and Green Product r equirement , with full function reliability approved.


    QM3001V替换AO6405代替QM3001V替代AO6405


  • Feature

    Advanced high cell density Trench technology.

    Super Low Gate Charge.

    Excellent CdV/dt effect decline.

    Green Device Available.

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    Application

    High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA

    Networking DC-DC Power System.

    Load Switch.

    R5和R6是反馈电阻,用于对gate电压进行采样,采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈,从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。


    最后,R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制,R4提供了对MOS管的gate电流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。


    这个电路提供了如下的特性:


    1,用低端电压和PWM驱动高端MOS管。


    2,用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。


    3,gate电压的峰值限制


    4,输入和输出的电流限制


    5,通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。


    6,PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性,可以通过前置一个反相器来解决。


品质第一

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